一种三维网络碳化硅表面制备氧化铝陶瓷薄膜的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910011491.9
IPC分类号：C04B41/87;C04B35/10
申请日期：
2009-05-12
申请人：
东北大学

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著录项信息

专利名称	一种三维网络碳化硅表面制备氧化铝陶瓷薄膜的方法
申请号	CN200910011491.9	申请日期	2009-05-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-10-07	公开/公告号	CN101550030
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B41/87 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B41/00 砂浆、混凝土、人造石或陶瓷的后处理；天然石的处理（冷釉料之外的釉料入C03C 8/00）〔3〕 C04B41/80 仅对陶瓷的〔4〕 C04B41/81 涂覆或浸渍〔4〕 C04B41/85 用无机材料〔4〕 C04B41/87 陶瓷〔4〕	IPC分类号	C;0;4;B;4;1;/;8;7;;;C;0;4;B;3;5;/;1;0查看分类表>
申请人	东北大学	申请人地址	辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东北大学	当前权利人	东北大学
发明人	茹红强;闫海乐;武艳君;马娅娜;喻亮;岳新艳;房明
代理机构	沈阳东大专利代理有限公司	代理人	李在川

摘要

一种三维网络碳化硅表面制备氧化铝陶瓷薄膜的方法，属于材料技术领域，包括以下步骤：(1)采用溶胶-凝胶法制备含铝溶胶；(2)采用真空浸渍法在3D-SiC上进行涂覆；(3)涂覆含铝溶胶完成后的三维网络碳化硅进行烧结。本发明以廉价的原料、简单的制备方法、简短的制备周期，在3D-SiC基体表面制备均匀、致密、气孔率低的Al2O3陶瓷薄膜，薄膜与基体有较强的结合强度，薄膜的抗热震性优良，从而实现对3D-SiC/钢的界面反应进行控制。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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