加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210263537.8
  • IPC分类号:H01L23/055;H01L23/48
  • 申请日期:
    2012-07-28
  • 申请人:
    江阴市赛英电子有限公司
著录项信息
专利名称大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳
申请号CN201210263537.8申请日期2012-07-28
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2012-11-07公开/公告号CN102768997A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/055IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;0;5;5;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8查看分类表>
申请人江阴市赛英电子有限公司申请人地址
江苏省无锡市江阴市澄江工业集中区南区斜泾村6号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江阴市赛英电子有限公司当前权利人江阴市赛英电子有限公司
发明人陈国贤;徐宏伟;陈蓓璐
代理机构江阴市同盛专利事务所代理人唐纫兰;曾丹
摘要
本发明涉及一种大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳,其特征在于它包括陶瓷底座(1)、过渡电极(2)和上盖(3),所述上盖(3)盖置于陶瓷底座(1)上,所述过渡电极(2)置于阳极电极(1-4)上,在所述过渡电极(2)上设置有门极针定位孔(2-1)、门极环定位槽(2-2)和芯片定位孔(2-3)。本发明不需要雕刻矩形电极群,只需在过渡电极上加工简单的定位孔和定位槽,大幅提高了加工效率和成品率,并且过渡电极不需与瓷环相焊接,因此没有焊接应力,与矩形电极群相比,接触面积增加了20%左右,从而提高了电极的导电、导热性能。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供