LED外延生长装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201110371287.5
IPC分类号：C30B25/16;C30B25/10;C30B25/14
申请日期：
2011-11-21
申请人：
扬州乾照光电有限公司

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著录项信息

专利名称	LED外延生长装置
申请号	CN201110371287.5	申请日期	2011-11-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-04-11	公开/公告号	CN102409400A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B25/16 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B25/00 反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕 C30B25/02 外延层生长〔3〕 C30B25/16 控制或调节（一般的控制或调节入G05）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;5;/;1;6;;;C;3;0;B;2;5;/;1;0;;;C;3;0;B;2;5;/;1;4查看分类表>
申请人	扬州乾照光电有限公司	申请人地址	江苏省扬州市维扬路108号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	扬州乾照光电有限公司	当前权利人	扬州乾照光电有限公司
发明人	田宇;韩效亚;马子越;杜石磊;林晓珊;张双翔;张银桥;王向武
代理机构	扬州市锦江专利事务所	代理人	江平

摘要

LED外延生长装置，属于外延生长设备技术领域，炉筒的上、下两端分别连接炉盖和炉底，在炉盖上分别设氮气进气口、混合气体接入通道和若干氢气进气通道；在炉盖和环形石墨护罩之间夹持环形均温组件，于环形石墨护罩内，在环形均温组件下端布置冷却装置；在环形均温组件上开设氢气引入通道，氢气引入通道的上端与炉盖上的氢气进气通道连接，氢气引入通道的下端布置在小石墨基盘的上方；在炉筒内的炉底上设置排气口。本发明可控制反应室与炉盖之间的温度，当反应室内的温度与炉盖的温度差较小时，在冷却装置表面就不容易生长颗粒。可省去更换冷却装置的工作量，节省时间，提高外延生产效率和外延产品的质量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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