一种三色探测器及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110168698.8
IPC分类号：H01L31/101;H01L31/103;H01L31/18
申请日期：
2021-02-07
申请人：
中山德华芯片技术有限公司

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著录项信息

专利名称	一种三色探测器及其制作方法
申请号	CN202110168698.8	申请日期	2021-02-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-08	公开/公告号	CN112928178A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/101 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;1;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;3;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	中山德华芯片技术有限公司	申请人地址	广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中山德华芯片技术有限公司	当前权利人	中山德华芯片技术有限公司
发明人	黄珊珊;黄辉廉;刘恒昌;高熙隆;杨文奕
代理机构	广州嘉权专利商标事务所有限公司	代理人	伍传松

摘要

本发明公开了一种三色探测器及其制作方法，三色探测器，包括依次层叠设置的：GaN衬底；AlGaN子探测器，所述AlGaN子探测器与所述GaN衬底之间设置有第一缓冲层；InGaAs子探测器，与所述AlGaN子探测器之间通过键合层连接；InGaNAs子探测器，与所述InGaAs子探测器之间设置有隧穿结，所述InGaNAs子探测器上设置有第二缓冲层。通过在深度方向上垂直集成紫外/可见光/红外多个波段的探测结构，分别利用GaN材料响应<365nm紫外波段信息，利用InGaAs材料响应365~1700nm波段信息，利用InGaNAs材料响应1700~3000nm中红外波段的信息，实现紫外/可见光/红外波段的同时探测，获得目标的“彩色”图像，更丰富、更精确、更可靠地得到目标的信息。

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