一种用于铸锭单晶硅的籽晶坩埚结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202022755946.2
IPC分类号：C30B11/00;C30B11/14;C30B29/06
申请日期：
2020-11-25
申请人：
史珺

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专利名称	一种用于铸锭单晶硅的籽晶坩埚结构
申请号	CN202022755946.2	申请日期	2020-11-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B11/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B11/00 正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法（C30B 13/00，C30B 15/00，C30B 17/00，C30B 19/00优先；保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;1;/;0;0;;;C;3;0;B;1;1;/;1;4;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	史珺	申请人地址	广东省深圳市罗湖区莲塘路350号鹏兴花园37栋204 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	史珺	当前权利人	史珺
发明人	史珺
代理机构	杭州伍博专利代理事务所（普通合伙）	代理人	暂无

摘要

本实用新型公开了一种用于铸锭单晶硅的籽晶坩埚结构。它包括籽晶和坩埚，所述籽晶的横截面形状呈正方形，所述坩埚的横截面形状呈U型，所述坩埚的底部中央设有凹槽，所述凹槽的尺寸与籽晶的尺寸相一致，所述的籽晶置于凹槽内且与凹槽无缝接触。本实用新型的有益效果是能够提高保证在用铸锭法进行单晶生长时，结合上述坩埚结构，不会产生多晶形核，从源头上消除了铸锭单晶的多晶形核的可能性；同时，结合籽晶与坩埚之间的结构设计，还能够消除籽晶中50%以上的位错，而且在整个单晶的生长过程中，能够使位错的产生几率降到最低。

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