一种镍钴锰三元金属硫化物中空结构材料及其制备和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202110602290.7
IPC分类号：H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86
申请日期：
2021-05-31
申请人：
多助科技（武汉）有限公司

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专利名称	一种镍钴锰三元金属硫化物中空结构材料及其制备和应用
申请号	CN202110602290.7	申请日期	2021-05-31
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-24	公开/公告号	CN113436901A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G11/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G11/00 混合电容器，即具有不同正极和负极的电容器；双电层（EDL）电容器；其制造方法或其零部件的制造方法〔2013.01〕 H01G11/22 电极〔2013.01〕 H01G11/24 以电极中材料组成或构成的结构特点为特征的，如形态、表面积或孔隙度；以为此使用的粉末或微粒的结构特点为特征的〔2013.01〕	IPC分类号	H;0;1;G;1;1;/;2;4;;;H;0;1;G;1;1;/;3;0;;;H;0;1;G;1;1;/;8;6查看分类表>
申请人	多助科技（武汉）有限公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区大学园路13号-1华中科技大学科技园现代服务业基地1号研发楼B单元三层318-37号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	多助科技（武汉）有限公司	当前权利人	多助科技（武汉）有限公司
发明人	刘启明;康陈霞;杨希国
代理机构	南京纵横知识产权代理有限公司	代理人	徐瑛

摘要

本发明公开了一种镍钴锰三元金属硫化物中空结构材料及其制备和应用，属于超级电容器电极材料领域。本发明以ZIF‑67为模板反应物和钴源，与镍盐和锰盐在水热条件下经离子交换、金属盐水解产生的H+刻蚀作用以及柯肯达尔效应制备得到NiCoMn‑OH中空结构材料；该中空结构材料与硫代乙酰胺通过溶剂热反应而制备得到镍钴锰三元金属硫化物中空结构材料。该方法制备的镍钴锰三元金属硫化物中空结构材料具有非常高的比表面积和比电容，用作超级电容器的电极材料时比电容可达到2098.2F/g。

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