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相变存储器存储单元的制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010130267.4
  • IPC分类号:H01L45/00
  • 申请日期:
    2010-03-11
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称相变存储器存储单元的制作方法
申请号CN201010130267.4申请日期2010-03-11
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-09-21公开/公告号CN102194993A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人张翼英;洪中山;廖映雪;余磊
代理机构北京德琦知识产权代理有限公司代理人牛峥;王丽琴
摘要
本发明公开了一种相变存储器存储单元的制作方法:在第一氧化硅层的表面沉积氮氧化硅层和第二氧化硅层;刻蚀第二氧化硅层形成第一通孔,以显露出氮氧化硅层;在第一通孔内沉积氮化硅层,以形成侧壁间隔;刻蚀第一通孔底部的氮化硅层、氮氧化硅层和第一氧化硅层形成第二通孔;在第二通孔内部沉积Ti/TiN和金属钨层;回刻金属钨层至第二通孔内剩余金属钨的高度高于预定高度,所述预定高度位于第一氧化硅层和第二氧化硅层之间;采用气体SF6、Cl2和BCl3,回刻Ti/TiN和金属钨至金属钨的高度达到预定高度,而Ti/TiN与金属钨的高度相平或高于金属钨的高度;在第二通孔内填充相变层。该方法提高了相变存储器相变层的填充能力。

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