高电子迁移率晶体管

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专利名称	高电子迁移率晶体管
申请号	CN201910298721.8	申请日期	2019-04-15
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-27	公开/公告号	CN111834435A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	联华电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	联华电子股份有限公司	当前权利人	联华电子股份有限公司
发明人	杨柏宇
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陈小雯

摘要

本发明公开一种高电子迁移率晶体管，该制作高电子迁移率晶体管的方法为，首先形成一缓冲层于一基底上，然后形成第一阻障层于该缓冲层上，形成一图案化掩模于第一阻障层上，形成一第二阻障层于图案化掩模两侧，去除该图案化掩模以形成一凹槽，形成一栅极电极于凹槽内，再形成一源极电极以及一漏极电极于栅极电极两侧。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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