一种提高蓝宝石基F‑P腔底部表面质量的MEMS工艺新方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710580162.0
IPC分类号：B81C1/00B81C3/00
申请日期：
2017-07-17
申请人：
西北工业大学

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专利名称	一种提高蓝宝石基F‑P腔底部表面质量的MEMS工艺新方法
申请号	CN201710580162.0	申请日期	2017-07-17
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-01-09	公开/公告号	CN107555398A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B81C1/00;B81C3/00查看分类表>
申请人	西北工业大学	申请人地址	陕西省西安市友谊西路1*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西北工业大学	当前权利人	西北工业大学
发明人	马志波;苑伟政;张晗;郭雪涛
代理机构	西北工业大学专利中心	代理人	吕湘连

摘要

本发明属于微机电系统(MEMS)领域，涉及蓝宝石晶片的一种MEMS工艺新方法，尤其涉及使用蓝宝石晶片加工F‑P腔结构时，提高底部表面质量的MEMS工艺新方法。该方法首先通过在蓝宝石晶片上加工通孔，然后与另一蓝宝石晶片进行高温键合，最后通过对带有通孔的蓝宝石晶片进行减薄抛光，实现高光学质量的蓝宝石基F‑P腔腔体的制备。该方法实现了原蓝宝石晶片表面作为F‑P腔底部光学反射面，其F‑P腔底部的表面质量与原表面质量相同。有效提高了蓝宝石基F‑P腔底部的粗糙度和表面质量，提高了F‑P腔底部表面的光学性能，进一步提高了蓝宝石基光纤F‑P传感器的稳定性和精度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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