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闪存器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110591283.1
  • IPC分类号:H01L21/28;H01L29/423;H01L29/06;H01L27/11521
  • 申请日期:
    2021-05-28
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称闪存器件及其制造方法
申请号CN202110591283.1申请日期2021-05-28
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-31公开/公告号CN113327848A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;1查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区良腾路6号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人田志;杨振兴;陈昊瑜;邵华
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人周耀君
摘要
在本发明提供的闪存器件及其制造方法中,第一侧墙层覆盖栅极结构层中的第一开口的侧壁并延伸至所述第一开口暴露出的衬底中,第二侧墙层覆盖所述栅极结构层中的第二开口的侧壁并延伸至所述第二开口暴露出的衬底中,在所述衬底中形成源区和漏区以后,所述第一侧墙层和所述第二侧墙层的底部均低于导电沟道,由此可阻挡漏区(即漏端)的电场,从而降低源漏之间的漏电,并改善闪存器件的抗电压能力。

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