基于PCB工艺的密封并联平面触发火花隙开关及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110394775.1
IPC分类号：H01T2/02;H01T2/00;H01T1/00;H01T21/00
申请日期：
2021-04-13
申请人：
南京理工大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	基于PCB工艺的密封并联平面触发火花隙开关及其制造方法
申请号	CN202110394775.1	申请日期	2021-04-13
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-06	公开/公告号	CN113224645A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01T2/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01T 火花隙；应用火花隙的过压避雷器；火花塞；电晕装置；产生被引入非密闭气体的离子（过压保护电路入H02H） H01T2/00 包括辅助触发装置的火花隙（触发电路入H01T 15/00）〔4〕 H01T2/02 包括1个触发电极或1个辅助火花隙的〔4〕	IPC分类号	H;0;1;T;2;/;0;2;;;H;0;1;T;2;/;0;0;;;H;0;1;T;1;/;0;0;;;H;0;1;T;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人	南京理工大学	申请人地址	江苏省南京市孝陵卫200号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京理工大学	当前权利人	南京理工大学
发明人	朱朋;初青芸;杨智;汪柯;沈瑞琪;叶迎华
代理机构	南京理工大学专利中心	代理人	张玲

摘要

本发明公开一种基于PCB工艺的密封并联平面触发火花隙开关及其制造方法。包括底层基片，中间层基片，顶层基片，PP片和焊盘；底层基片上表面和顶层基片的下表面上均设有三电极线路，中间层基片设有上下贯通的矩形腔室，PP片上设有与矩形腔室相对应的矩形缺口；中间层基片设置在底层基片和顶层基片之间，基片之间通过PP片压合；压合后中间层基片的矩形腔室，底层基片的上表面和顶层基片的下表面形成密封腔室；顶层基片上设有焊盘，压合之后的底层基片，中间层基片和顶层基片上设有贯穿的过孔。本发明并联PCB‑PTS导通气体氛围固定，使得开关在恶劣环境下具有和常规环境相似的性能，并联的设计提升了开关的作用可靠性，拓宽触发火花隙开关的应用范围。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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