一种三维半导体雪崩光电探测芯片及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011190233.4
IPC分类号：H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/18
申请日期：
2020-10-30
申请人：
华中科技大学

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专利名称	一种三维半导体雪崩光电探测芯片及其制备方法
申请号	CN202011190233.4	申请日期	2020-10-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-01-29	公开/公告号	CN112289883A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/107 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/102 仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕 H01L31/107 以雪崩模式工作的势垒，如雪崩光二极管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;7;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	华中科技大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华中科技大学	当前权利人	华中科技大学
发明人	汪学方;张雨雨;许剑锋;肖峻峰
代理机构	华中科技大学专利中心	代理人	尚威;李智

摘要

本发明属于光电探测领域，公开了一种三维半导体雪崩光电探测芯片及其制备方法。该方法包括：(a)在SOI基片上预规划掺杂区域，所述SOI基片包括由下至上依次堆叠的半导体材料衬底、绝缘层、绝缘层上半导体；(b)通过扩散或离子注入形成P型基体；(c)在P型衬底上通过扩散或离子注入在图中位置分别形成重掺杂P型区域及重掺杂N型区域；(d)在预规划的电极位置沉积金属层，刻蚀金属层形成金属电极(e)刻蚀去掉不需要的半导体材料形成隔离。本发明的半导体雪崩光电探测芯片具有三维结构，从而提高半导体雪崩光电探测芯片的吸收面积和探测效率。

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