可任意设定机密数据的记录区域的记忆装置

发明专利无效专利

申请号：
CN03120590.9
IPC分类号：--
申请日期：
2003-03-14
申请人：
三洋电机株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	可任意设定机密数据的记录区域的记忆装置
申请号	CN03120590.9	申请日期	2003-03-14
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2003-10-01	公开/公告号	CN1445977
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三洋电机株式会社	申请人地址	日本国大阪府守口市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三洋电机株式会社	当前权利人	三洋电机株式会社
发明人	堀吉宏;日置敏昭
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汪惠民

摘要

本发明提供一种可任意设定机密数据的记录区域的记忆装置。其中的硬盘装置具有数据记忆区域(2000)。数据记忆区域(2000)包含用户区域(2100)与非用户区域(2200)。用户区域(2100)由记忆非机密数据的通常数据记忆区域(2110)与记忆机密数据的保护数据记忆区域(2120)所构成。非用户区域(2200)由管理数据记忆区域(2210)构成。管理数据记忆区域(2210)记忆证书失效清单及机密数据的管理表等。用户区域(2100)被赋予逻辑地址0～maxLBA，其中sLBA+1～maxLBA分配于保护数据记忆区域(2120)。根据由外部的指示使sMAX的变更，而变更保护数据记忆区域(2120)的区域。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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