加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种双极型纳米薄膜忆阻器的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610040610.3
  • IPC分类号:H01L45/00;C04B35/47;C04B35/622
  • 申请日期:
    2016-01-21
  • 申请人:
    山东科技大学
著录项信息
专利名称一种双极型纳米薄膜忆阻器的制备方法
申请号CN201610040610.3申请日期2016-01-21
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-07-06公开/公告号CN105742487A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;C;0;4;B;3;5;/;4;7;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人山东科技大学申请人地址
山东省青岛市经济技术开发区前湾港路579号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人山东科技大学当前权利人山东科技大学
发明人郭梅;窦刚;李玉霞;孙钊;李煜;于洋
代理机构济南舜源专利事务所有限公司代理人毛胜昔
摘要
本发明公开了一种双极型纳米薄膜忆阻器的制备方法,其运用在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子,依靠空穴和电离氧离子产生量的变化实现器件电阻的变化的原理,在现有技术的基础上,从简化工艺与阻变膜纳米陶瓷材料的化学配方两方面着手:通过省略掉阻变膜陶瓷材料的预先烧结步骤、选用纳米陶瓷烧结温度更低的原料,结合采用更低的煅烧温度;并通过以Mg2+部分取代Ti4+进行B位取代,以增大Sr(Ti1‑xMgx)O3‑x分子结构的不对称性、提高内部空穴量等技术手段,简化了制备工艺、缩短了工艺流程、降低了生产能耗和制造成本,并大幅提升了忆阻器的忆阻性能。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供