一种提高皇冠型图形化衬底均匀性的套刻方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410554907.2
IPC分类号：H01L33/22;H01L33/00
申请日期：
2014-10-17
申请人：
西安神光安瑞光电科技有限公司

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专利名称	一种提高皇冠型图形化衬底均匀性的套刻方法
申请号	CN201410554907.2	申请日期	2014-10-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2015-01-21	公开/公告号	CN104300063A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/22 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/20 具有特定的形状，例如弯曲或截断的衬底〔2010.01〕 H01L33/22 粗糙表面，例如在外延层之间的界面〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;2;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	西安神光安瑞光电科技有限公司	申请人地址	陕西省西安市航天基地东长安街888号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安神光安瑞光电科技有限公司	当前权利人	西安神光安瑞光电科技有限公司
发明人	韩沈丹
代理机构	西安智邦专利商标代理有限公司	代理人	胡乐

摘要

本发明涉及一种提高皇冠型蓝宝石图形化衬底均匀性的套刻方法。其实现步骤包括：(1)在抛光后的衬底表面旋涂光刻胶；(2)选择第一光刻板，用光刻机对涂胶后的衬底表面进行曝光并显影；(3)使用ICP刻蚀显影后的带胶衬底；(4)将刻蚀后的衬底酸洗去胶，甩干；(5)在衬底表面再次旋涂光刻胶；选择第二光刻板，用光刻机对涂胶后的衬底表面进行再次曝光并显影；(6)使用ICP再次对带胶衬底进行刻蚀，得到皇冠型图形衬底；(7)对制得的皇冠型图形化衬底进行化学清洗。本发明通过使用两套不同样式的光刻板并进行两次曝光、显影、刻蚀，解决了最小曝光尺寸小于机台分辨率的问题，提高了图形均匀性及稳定性,以供量产。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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