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一种ESD保护电路及基于GaAsPHEMT工艺的集成模块

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201820544322.6
  • IPC分类号:H02H9/02
  • 申请日期:
    2018-04-17
  • 申请人:
    江苏卓胜微电子股份有限公司
著录项信息
专利名称一种ESD保护电路及基于GaAsPHEMT工艺的集成模块
申请号CN201820544322.6申请日期2018-04-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H02H9/02IPC分类号H;0;2;H;9;/;0;2查看分类表>
申请人江苏卓胜微电子股份有限公司申请人地址
江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢11层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江苏卓胜微电子股份有限公司当前权利人江苏卓胜微电子股份有限公司
发明人刘文永
代理机构北京品源专利代理有限公司代理人孟金喆
摘要
本实用新型实施例公开了一种ESD保护电路及基于GaAs PHEMT工艺的集成模块。其中,ESD保护电路包括:动态监测电路和电流泄放通路;动态监测电路包括至少一个串联连接正向钳位二极管、电阻和反向钳位二极管;至少一个正向钳位二极管中的第一个正向钳位二极管的正极与电压输入端电连接,至少一个正向钳位二极管中的最后一个正向钳位二极管的负极与电阻的第一端电连接,并与电流泄放通路的控制端电连接;电阻的第二端与地端电连接;反向钳位二极管的负极与电阻的第一端电连接,正极与电阻的第二端电连接。本实用新型实施例提供的技术方案,可解决现有GaAs PHEMT工艺的芯片易受ESD影响的问题。

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