互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN96102424.0
IPC分类号：--
申请日期：
1996-02-15
申请人：
台湾茂矽电子股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
申请号	CN96102424.0	申请日期	1996-02-15
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1997-08-20	公开/公告号	CN1157485
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	台湾茂矽电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	茂德科技股份有限公司	当前权利人	茂德科技股份有限公司
发明人	王志贤;陈民良
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	徐娴

摘要

一种利用离子注入及厚侧壁隔离层制程的互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其步骤如下：制造硅衬底，进行离子注入，形成轻掺杂漏极；形成侧壁隔离层；应用第一光掩模形成N型离子注入区；应用第二光掩模形成P型离子注入区；在场氧化层和晶体管上淀积绝缘层；应用第三光掩模形成氧化层与栅极间的接触窗；本方法可有效地解决当元件尺寸缩小时所产生的穿透效应，可减少使用光掩模的次数并可保证质量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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