一种太阳能电池薄膜材料的电化学沉积制备工艺

发明专利无效专利

申请号：
CN200610059319.7
IPC分类号：C25D3/56;H01L31/18
申请日期：
2006-03-02
申请人：
桂林工学院

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著录项信息

专利名称	一种太阳能电池薄膜材料的电化学沉积制备工艺
申请号	CN200610059319.7	申请日期	2006-03-02
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-10-11	公开/公告号	CN1844478
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25D3/56 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25D 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸（印刷电路的金属沉积法制造入H05K 3/18）；工件的电解法接合；所用的装置（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2，6〕 C25D3/00 电镀；其所用的镀液〔2〕 C25D3/02 溶液（C25D 5/24至C25D 5/32优先）〔2〕 C25D3/56 合金的〔2〕	IPC分类号	C;2;5;D;3;/;5;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	桂林工学院	申请人地址	广西壮族自治区桂林市建干路12号桂林工学院变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	桂林工学院	当前权利人	桂林工学院
发明人	龙飞;邹正光;李建军
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种CuIn(1-x)GaxSe2太阳能电池薄膜材料的电化学沉积制备工艺。以Cu、In、Ga金属盐和亚硒酸为主要原料，溶于醇类或砜类有机试剂中为电解质；以金属钼片或不锈钢片为阴极，铂网为辅助电极，甘汞饱和电极为对电极；恒电位沉积制备CuIn(1-x)GaxSe2薄膜前驱体；后经清洗、吹干，氩气下的热处理获得CuIn(1-x)GaxSe2薄膜。本发明具有原料利用率高、成本低、工艺控制容易等优点。特别是本发明以醇类、砜类等有机试剂代替水为电解质溶剂，避免了在较负电位下电沉积过程中氢析出对CuIn(1-x)GaxSe2合金元素共沉积的影响。

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