三维网状掺氮石墨烯复合氢氧化钴六方纳米片电极材料的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510589153.9
IPC分类号：H01G11/86;H01G11/24;H01G11/30
申请日期：
2015-09-14
申请人：
南京大学

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著录项信息

专利名称	三维网状掺氮石墨烯复合氢氧化钴六方纳米片电极材料的制备方法
申请号	CN201510589153.9	申请日期	2015-09-14
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-12-02	公开/公告号	CN105118693A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G11/86 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G11/00 混合电容器，即具有不同正极和负极的电容器；双电层（EDL）电容器；其制造方法或其零部件的制造方法〔2013.01〕 H01G11/84 混合电容器或双电层电容器，或其部件的制造工艺〔2013.01〕 H01G11/86 特别适用于电极（用于制造电极的碳的碳化或活化入H01G 11/34）〔2013.01〕	IPC分类号	H;0;1;G;1;1;/;8;6;;;H;0;1;G;1;1;/;2;4;;;H;0;1;G;1;1;/;3;0查看分类表>
申请人	南京大学	申请人地址	江苏省南京市汉口路22号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京大学	当前权利人	南京大学
发明人	唐少春;谢浩;孟祥康
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了三维网状掺氮石墨烯复合氢氧化钴六方纳米片电极材料制备方法。为了克服赝电容材料导电性差和比表面积低的问题，利用简单经济的一步水热法，在三维网状掺氮石墨烯形成过程中，原位生长Co(OH)2六方纳米片，从而获得石墨烯三维网络骨架支撑Co(OH)2的复合电极材料。六方纳米片的每边长大约100～300nm，片的厚度在10～15nm。拥有良好的电容性能，电容值在5mV/s扫描速率下达到740.4F/g，在1.0A/g的电流密度下电容值高达952.4F/g，因此在超级电容器电极材料的制备方面有很大的优势。

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