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一种形成金属扩散阻挡层的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811015325.1
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2018-08-31
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种形成金属扩散阻挡层的方法
申请号CN201811015325.1申请日期2018-08-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-01-15公开/公告号CN109216265A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人鲍宇;李西祥
代理机构上海申新律师事务所代理人俞涤炯
摘要
本发明提供一种形成金属扩散阻挡层的方法,提供衬底,衬底由下向上依次包括金属互联层,绝缘层,低K介电层及硬掩膜层;还包括以下步骤:形成穿透硬掩膜层,低K介电层及绝缘层的通孔,通孔底部暴露金属互联层,并于通孔的顶部形成沟槽,沟槽底部位于低K介电层中;在硬掩膜层、通孔的孔壁及孔底,及沟槽的槽壁及槽底形成第一金属层;使通孔的孔壁,及沟槽的槽壁及槽底的第一金属层与低K介电层反应形成合金阻挡层;于合金阻挡层及剩余的第一金属层表面形成金属种子层;于沟槽及通孔中填充金属。本发明的有益效果在于,通过在沉积金属种子层之前形成合金阻挡层,从而更加有效的防止铜在形成阻挡层形成之前扩散。

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