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在多孔衬底上制备氧化物致密陶瓷薄膜的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510022666.8
  • IPC分类号:C04B38/00;C04B41/87;C04B35/64
  • 申请日期:
    2005-12-24
  • 申请人:
    中国科学技术大学
著录项信息
专利名称在多孔衬底上制备氧化物致密陶瓷薄膜的方法
申请号CN200510022666.8申请日期2005-12-24
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-06-28公开/公告号CN1793056
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B38/00IPC分类号C;0;4;B;3;8;/;0;0;;;C;0;4;B;4;1;/;8;7;;;C;0;4;B;3;5;/;6;4查看分类表>
申请人中国科学技术大学申请人地址
安徽省合肥市金寨路96号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学技术大学当前权利人中国科学技术大学
发明人孟广耀;刘杏芹;闫瑞强;鲍魏涛;马千里;高建峰
代理机构安徽合肥华信知识产权代理有限公司代理人余成俊
摘要
本发明涉及致密陶瓷薄膜制备技术。该方法包括利用现有技术制备金属陶瓷或陶瓷多孔衬底,并在多孔衬底表面施加涂层,所述在多孔衬底表面施加涂层的步骤是:首先采用喷涂或悬浮颗粒浆料浸渍涂膜技术在多孔衬底表面形成由团聚粉体疏松堆积成的粗颗粒骨架膜层;干燥后用细小颗粒粉体浆料对粗颗粒骨架膜层进行覆涂,使相对密度达到60%以上;最后在1200-1450℃、空气条件下烧结后冷却得成品;粗颗粒骨架膜层中粉体粒径d50为0.2-2.0微米;覆涂用浆料中颗粒的粒度与骨架膜层中粉体的粒度比为1∶5-50,其浆料中固含质量为1-10%。本方法制备膜层的厚度能较方便地控制在5-100微米范围内,具有质量稳定、制备周期短和成本低等优点。

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