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多晶硅栅极结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201010265303.8
IPC分类号：H01L29/49;H01L21/28
申请日期：
2010-08-26
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	多晶硅栅极结构
申请号	CN201010265303.8	申请日期	2010-08-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-03-14	公开/公告号	CN102376756A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/49 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/40 按其电极特征区分的〔2〕 H01L29/43 以形成材料为特征的〔6〕 H01L29/49 金属绝缘体半导体电极〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;4;9;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	刘继全;彭虎
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	戴广志

摘要

本发明公开了一种多晶硅栅极结构，包括：硅衬底，位于该硅衬底上的一层栅氧化层；位于所述栅氧化层上的具有多层结构的栅极，该多层结构由上至下依次为金属硅化物，钨硅和多晶硅。本发明还公开了一种所述多晶硅栅极结构的制作方法。本发明能进一步降低多晶硅栅极的电阻，栅极电阻率最小可以做到1ohms/sq。

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