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一种高横向谐振频率温度稳定性压电陶瓷及其制备方法与应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010572000.4
  • IPC分类号:C04B35/493;C04B35/634;C04B35/638;C04B41/88
  • 申请日期:
    2020-06-22
  • 申请人:
    华南理工大学
著录项信息
专利名称一种高横向谐振频率温度稳定性压电陶瓷及其制备方法与应用
申请号CN202010572000.4申请日期2020-06-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-10-30公开/公告号CN111848164A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/493IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;9;3;;;C;0;4;B;3;5;/;6;3;4;;;C;0;4;B;3;5;/;6;3;8;;;C;0;4;B;4;1;/;8;8查看分类表>
申请人华南理工大学申请人地址
广东省广州市天河区五山路381号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华南理工大学当前权利人华南理工大学
发明人凌志远;肖长柳
代理机构广州市华学知识产权代理有限公司代理人殷妹
摘要
本发明公开了一种高横向谐振频率温度稳定性压电陶瓷及其制备方法与应用。所述压电陶瓷材料的化学组成为:0.1Pb(Yb0.5Nb0.5)O3‑0.9Pb(Zr0.48Ti0.52)O3,以主晶相0.1Pb(Yb0.5Nb0.5)O3‑0.9Pb(Zr0.48Ti0.52)O3总重为百分比,MnCO3掺入量为0.2~0.6wt%。以Pb3O4、TiO2、ZrO2、Yb2O3、Nb2O5和MnCO3粉末为原料,采用氧化物固相反应法制备样品,高温烧结得到铌镱锆钛酸铅基压电陶瓷,能满足中小功率压电陶瓷应用对横向谐振频率温度稳定性的要求。

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