一种LED集成光源制造工艺及LED集成光源

发明专利有效专利

申请号：
CN202010921283.9
IPC分类号：H01L33/50;H01L25/075;B05D3/02;B05D1/38
申请日期：
2020-09-04
申请人：
谷麦光电科技股份有限公司;信阳市谷麦光电子科技有限公司;东莞市谷麦光学科技有限公司;信阳中部半导体技术有限公司

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专利名称	一种LED集成光源制造工艺及LED集成光源
申请号	CN202010921283.9	申请日期	2020-09-04
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-12-11	公开/公告号	CN112071972A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/50 波长转换元件〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;5;0;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;5;;;B;0;5;D;3;/;0;2;;;B;0;5;D;1;/;3;8查看分类表>
申请人	谷麦光电科技股份有限公司;信阳市谷麦光电子科技有限公司;东莞市谷麦光学科技有限公司;信阳中部半导体技术有限公司	申请人地址	河南省信阳市浉河区金牛产业集聚区富强路1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	谷麦光电科技股份有限公司,信阳市谷麦光电子科技有限公司,东莞市谷麦光学科技有限公司,信阳中部半导体技术有限公司	当前权利人	谷麦光电科技股份有限公司,信阳市谷麦光电子科技有限公司,东莞市谷麦光学科技有限公司,信阳中部半导体技术有限公司
发明人	戢利进;廖勇军;李文庭;张诺寒
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	胡彬

摘要

本发明涉及LED集成光源技术领域，公开一种LED集成光源制造工艺及LED集成光源。其中LED集成光源制造工艺的步骤包括S10、通过粘接剂将多个芯片粘接于基板的沉孔内，烘烤形成芯片层；S20、导通多个芯片，并预留与芯片导通的引线层；S30、在芯片层外周放置边缘遮框，混合荧光粉、荧光胶和稀释剂，并喷涂覆盖芯片层，取下边缘遮框，烘烤形成荧光层，芯片层置于荧光层内；S40、在荧光层上点涂封装胶，烘烤形成封装层，芯片层置于封装层内。本发明通过增加稀释剂，降低了粉胶混合液的粘性，使荧光粉的含量更多，保证被激发后产生的光的亮度更高；喷涂的方式使芯片各处的激发效率相同，保证发光的均匀性，减少了出现裂胶的风险，提高了LED集成光源的使用寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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