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一种适用于5G设备芯片封装用底部填充胶及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011569879.3
  • IPC分类号:C09J163/02;C09J11/04;C08G59/24;C08G59/50;H01L23/29;H01L23/373
  • 申请日期:
    2020-12-26
  • 申请人:
    深圳市荣昌科技有限公司
著录项信息
专利名称一种适用于5G设备芯片封装用底部填充胶及其制备方法
申请号CN202011569879.3申请日期2020-12-26
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-07-16公开/公告号CN113122172A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C09J163/02IPC分类号C;0;9;J;1;6;3;/;0;2;;;C;0;9;J;1;1;/;0;4;;;C;0;8;G;5;9;/;2;4;;;C;0;8;G;5;9;/;5;0;;;H;0;1;L;2;3;/;2;9;;;H;0;1;L;2;3;/;3;7;3查看分类表>
申请人深圳市荣昌科技有限公司申请人地址
广东省深圳市光明新区公明办事处合水口社区第五工业区第二栋 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市荣昌科技有限公司当前权利人深圳市荣昌科技有限公司
发明人李松华;赵赛赛
代理机构深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙)代理人杨大庆
摘要
本发明公开了一种适合5G设备芯片封装用的低介电、高导热底部填充胶及其制备方法,采用低分子量萘酚改性环氧树脂与常规环氧树脂进行共混改性,再依次加入固化剂、导热填料、增韧剂、硅烷偶联剂,再充分混合均匀,真空脱泡处理后,得到底部填充胶。本发明以共混改性环氧树脂中引入的萘基基团和固化剂中引入的苯基,具有较高的摩尔体积V值,同时固化剂中的环己基也具有较低的摩尔极化度P值,可显著降低填充胶的介电常数。本发明采用球形石墨和空心玻璃微珠的混合导热填料能极大改善填充胶的导热性能。能很好的满足目前大功率、高频段5G通讯对设备封装材料的严苛要求。

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