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低温烧结微波介质材料Ba2V2+xO7及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010257235.4
  • IPC分类号:C04B35/495;C04B35/622
  • 申请日期:
    2020-04-03
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称低温烧结微波介质材料Ba2V2+xO7及其制备方法
申请号CN202010257235.4申请日期2020-04-03
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2020-08-07公开/公告号CN111499383A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/495IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;9;5;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人李波;邓亚平;姚朋玉
代理机构电子科技大学专利中心代理人甘茂
摘要
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,涉及一种微波介质陶瓷材料,具体提供低温烧结微波介质陶瓷材料Ba2V2+xO7及其制备方法,其中,‑0.1≤x≤0;本发明通过调整非化学计量比的方式,引入适量第二相Ba3V2O8,使晶粒生长更均匀,进一步使得微波介质材料的品质因数高于化学计量比下的值。本发明制备的微波介质陶瓷满足低温烧结900~950℃,具有低介电常数εr=10~12,高品质因数Q×f=48000~56000,可用于介质谐振器、滤波器等微波器件的制造,且其成本低廉、制备工艺简单,在工业上有着极大的应用价值。

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