一种由纳米片形成的C掺杂花球状二氧化钛/二硫化钼复合材料及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711147373.1
IPC分类号：H01M4/36;H01M4/485;H01M4/58;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2017-11-17
申请人：
齐鲁工业大学

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著录项信息

专利名称	一种由纳米片形成的C掺杂花球状二氧化钛/二硫化钼复合材料及其制备方法
申请号	CN201711147373.1	申请日期	2017-11-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-05-01	公开/公告号	CN107978742A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/36 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/02 由活性材料组成或包括活性材料的电极〔2〕 H01M4/36 作为活性物质、活性体、活性液体的材料的选择〔2〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;3;6;;;H;0;1;M;4;/;4;8;5;;;H;0;1;M;4;/;5;8;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;5;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	齐鲁工业大学	申请人地址	山东省济南市长清区大学路3501号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	齐鲁工业大学	当前权利人	齐鲁工业大学
发明人	周国伟;张敬;刘作花;郑玉洁;李治凯;孙学凤
代理机构	济南圣达知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种由纳米片形成的C掺杂花球状TiO2/MoS2复合材料及其制备方法，其中TiO2由锐钛矿和单斜晶TiO2(B)组成。首先以乙酸为溶剂，以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为分散剂和碳源，以钛酸四丁酯(TBT)为钛源，采用溶剂热法、经煅烧制备花球状C掺杂TiO2；以合成的C掺杂TiO2为骨架，再以钼酸铵为钼源，以硫脲为硫源经过水热法得到C掺杂TiO2/MoS2复合材料。本发明通过调控钼源和硫源的量来调控复合材料中TiO2和MoS2的质量比，通过调控煅烧温度来调控TiO2的晶型。另外，复合之后并没有改变TiO2的形貌。并且本发明在制备复合材料的过程中，制备方法简单，制备过程安全，能耗低，可操作性强。

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