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一种耐摩擦、耐腐蚀TiN薄膜的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110812568.3
IPC分类号：C23C14/35;C23C14/06
申请日期：
2021-07-19
申请人：
中山市气相科技有限公司;中山市武汉理工大学先进工程技术研究院

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种耐摩擦、耐腐蚀TiN薄膜的制备方法
申请号	CN202110812568.3	申请日期	2021-07-19
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-22	公开/公告号	CN113529038A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6查看分类表>
申请人	中山市气相科技有限公司;中山市武汉理工大学先进工程技术研究院	申请人地址	广东省中山市火炬开发区祥兴路6号数贸大厦南冀3楼305卡（住所申报）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中山市气相科技有限公司,中山市武汉理工大学先进工程技术研究院	当前权利人	中山市气相科技有限公司,中山市武汉理工大学先进工程技术研究院
发明人	涂溶;袁洋;章嵩;李其仲
代理机构	中山市粤捷信知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	张谦

摘要

本发明公开了一种耐摩擦、耐腐蚀TiN薄膜的制备方法，采用多弧离子镀与高功率脉冲磁控溅射复合的沉积方法，得到单层TiN薄膜。本发明操作简单，采用多弧离子镀与高功率脉冲磁控溅射复合的沉积方法，仅通过组合两种不同沉积原理的制备方法即可得到耐摩擦、耐腐蚀的TiN薄膜，方法重复性好，对于制备及开发特定应用背景的TiN薄膜具有重要意义。

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