一种高密度半导体引线框架

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202120233561.1
IPC分类号：H01L23/495;F21V21/00;F21Y115/10
申请日期：
2021-01-26
申请人：
江西亚中电子科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种高密度半导体引线框架
申请号	CN202120233561.1	申请日期	2021-01-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/495 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕 H01L23/495 引线框架的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;9;5;;;F;2;1;V;2;1;/;0;0;;;F;2;1;Y;1;1;5;/;1;0查看分类表>
申请人	江西亚中电子科技股份有限公司	申请人地址	江西省宜春市高安市新世纪工业园通城大道26号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江西亚中电子科技股份有限公司	当前权利人	江西亚中电子科技股份有限公司
发明人	杨春林;王勇
代理机构	南昌市赣昌知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	靳昙昙

摘要

本实用新型公开了一种高密度半导体引线框架，包括底座、灯珠框架和镂空边框，所述镂空边框设于灯珠框架外围，其特征在于所述底座上设有上、下两个框架区，所述框架区设有13～16行40～50列呈阵列均布的灯珠框架，同一列两个相邻的灯珠框架中心距设为2.05～2.55mm，同一行两个相邻的灯珠框架中心距设为3.4～4.2mm。本实用新型通过缩短同列和同行两个相邻灯珠框架间距，达到采用传统半导体引线框架同样的尺寸内部能够设置安装1040～1600个灯珠框架，节省了大量成本，大大提高了生产效率；使用时两相邻灯珠之间的间距也就缩短了，提高了LED灯珠光效。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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