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等离子体增强基片处理方法和装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200780051931.2
  • IPC分类号:C23C16/44;C23C16/50
  • 申请日期:
    2007-12-14
  • 申请人:
    朗姆研究公司
著录项信息
专利名称等离子体增强基片处理方法和装置
申请号CN200780051931.2申请日期2007-12-14
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-03-31公开/公告号CN101688301
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/44IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;4;4;;;C;2;3;C;1;6;/;5;0查看分类表>
申请人朗姆研究公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人朗姆研究公司当前权利人朗姆研究公司
发明人拉金德尔·德辛德萨;埃里克·赫德森;阿列克谢·马拉赫塔诺夫;安德烈亚斯·菲舍尔
代理机构上海胜康律师事务所代理人周文强;李献忠
摘要
一种在电容耦合等离子体处理系统中处理基片的方法和装置,该系统具有等离子体处理室和至少一个上电极和一个下电极。在等离子体处理过程中,该基片设在该下电极上。该方法包括向该下电极提供至少第一RF信号,其具有第一RF频率。该第一RF信号与该等离子体处理室中的等离子体耦合,由此在该上电极上感应出感应RF信号。该方法还包括向该上电极提供第二RF信号。该第二RF信号也具有该第一RF频率。该第二RF信号的相位与该第一RF信号的相位的偏移的值小于10%。该方法进一步包括在向该上电极提供该第二RF信号的同时处理该基片。

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