复合材料及其制备方法和发光二极管

发明专利有效专利

申请号：
CN201911400969.7
IPC分类号：H01L51/50;H01L51/54;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y10/00
申请日期：
2019-12-30
申请人：
TCL集团股份有限公司

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著录项信息

专利名称	复合材料及其制备方法和发光二极管
申请号	CN201911400969.7	申请日期	2019-12-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-16	公开/公告号	CN113130777A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;4;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;1;0;/;0;0查看分类表>
申请人	TCL集团股份有限公司	申请人地址	广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	TCL科技集团股份有限公司	当前权利人	TCL科技集团股份有限公司
发明人	朱佩;向超宇;罗植天
代理机构	深圳中一联合知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明属于纳米材料领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和发光二极管。所述复合材料包括碱金属氟化物纳米颗粒和包覆在所述碱金属氟化物纳米颗粒表面的凝胶层。该复合材料可以作为很好的电子注入材料，用于量发光二极管的电子注入层可以提高器件的效率；同时该复合材料具有很好的柔韧性，可以减少因像素Bank变形造成的像素区域畸形，因此既可以提高提器件的效率，又提高其稳定性及寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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