半导体集成电路装置及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN01133842.3
IPC分类号：H01L27/06;H01L21/82
申请日期：
2001-12-25
申请人：
三洋电机株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体集成电路装置及其制造方法
申请号	CN01133842.3	申请日期	2001-12-25
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-07-31	公开/公告号	CN1361552
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/06 在非重复结构中包括有多个单个组件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2查看分类表>
申请人	三洋电机株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三洋电机株式会社	当前权利人	三洋电机株式会社
发明人	大川重明;大古田敏幸
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	刘宗杰;梁永

摘要

本发明的目的是在内装适用于输出晶体管保护的消弧二极管的半导体集成电路装置中对使二极管元件截止时的耐压大幅度地提高的二极管元件进行高效率的集成化。在该半导体集成电路装置中，通过使形成为正极区域的P+型第1埋入层35和形成为负极区域的N+型扩散区域41在深度方向上隔开形成，当在二极管元件21上施加了反向偏置电压时，可以在由PN结的第1和第2外延层25、26构成的N型区域上得到宽幅的过渡层形成区域并由所形成的该过渡层确保耐压，从而能够抑制由击穿电流造成的内部元件损坏。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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