一种单晶炉真空管道粉尘的收集方法及收集装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201010620823.6
IPC分类号：C30B15/00
申请日期：
2010-12-23
申请人：
有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司

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专利名称	一种单晶炉真空管道粉尘的收集方法及收集装置
申请号	CN201010620823.6	申请日期	2010-12-23
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2012-07-11	公开/公告号	CN102560620A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;0查看分类表>
申请人	有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司	申请人地址	北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	有研半导体硅材料股份公司	当前权利人	有研半导体硅材料股份公司
发明人	邓德辉;侯艳柱;方峰;李海洋;郑沉;王学锋;叶松芳;刘红艳
代理机构	北京北新智诚知识产权代理有限公司	代理人	郭佩兰

摘要

一种单晶炉真空管道粉尘的收集方法及收集装置，方法是在炉体和真空泵之间的气体与挥发物粉尘通过的水平管道上升拐角处的垂直向下的方向设一管口，该管口上配一粉尘收集装置，收集装置包括：带有支架槽的管口，罐口带有支架槽的粉尘收集罐，连接管口和粉尘收集罐的带密封圈的支架，以及紧固用的卡箍。通过本发明，这些淤积的挥发物就会被固定的收集到罐中，气体在其上方通过，罐里的挥发物不会再被带走，以后再定期清洁、处理，就可以分离、消耗掉大部分拉晶时产生的挥发物粉尘，可以极大延长真空泵的使用寿命，装置经久耐用、组装简单、造价低廉、效果明显。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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