一种耐冲击晶片电阻器及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010113307.8
IPC分类号：H01C17/00;H01C17/22;H01C17/28;H01C7/00
申请日期：
2020-02-24
申请人：
国巨电子（中国）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种耐冲击晶片电阻器及其制作方法
申请号	CN202010113307.8	申请日期	2020-02-24
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-05-22	公开/公告号	CN111192733A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01C17/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01C 电阻器 H01C17/00 制造电阻器的专用设备或方法（给外壳或包装壳填料入H01C 1/02；将电阻器周围的绝缘物变成粉末入H01C 1/03；热敏电阻器的制造入H01C 7/02，H01C 7/04）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;C;1;7;/;0;0;;;H;0;1;C;1;7;/;2;2;;;H;0;1;C;1;7;/;2;8;;;H;0;1;C;7;/;0;0查看分类表>
申请人	国巨电子（中国）有限公司	申请人地址	江苏省苏州市新区竹园路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国巨电子（中国）有限公司	当前权利人	国巨电子（中国）有限公司
发明人	陈智高;蔡东谋;简高柏
代理机构	苏州简理知识产权代理有限公司	代理人	杨瑞玲;朱亦倩

摘要

本发明公开了一种耐冲击晶片电阻器及其制作方法，所述制作方法首先要烧结一片试验电阻器，再将所述试验电阻器划分为九份，用阻值测量仪分别测量该九份中每一份的阻值，得到电阻器阻值与电极跨距的数值关系；再根据数值关系计算目标电阻所需的电极跨距，得到电极跨距L；再根据电极跨距L，制作获得对应的印刷网版；再使用印刷网版在基板上印刷电极，将电阻层贴敷在所述电极上，获得初步成型的电阻器；将保护层涂覆在所述初步成型的电阻器的外表面，获得成型的晶片电阻器。本发明所述制作方法不需激光修整精度，且只需印一层电阻层，其提高了电阻器的耐冲击性和生产效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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