一种金属氮化物膜及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011607801.6
IPC分类号：C23C14/35;C23C14/06;B01J27/24
申请日期：
2020-12-30
申请人：
广州奥松电子有限公司

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专利名称	一种金属氮化物膜及其制备方法
申请号	CN202011607801.6	申请日期	2020-12-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-18	公开/公告号	CN112813394A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6;;;B;0;1;J;2;7;/;2;4查看分类表>
申请人	广州奥松电子有限公司	申请人地址	广东省广州市黄埔区云骏路17号自编3栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广州奥松电子有限公司	当前权利人	广州奥松电子有限公司
发明人	张宾;赵罗恒;何伟生;孙昭红;马鹏飞;刘光亮;邱国财;郑晓银;刘新雅;张运龙;奉贞丽;陈新准;李修龙;傅王勇;李国宁;周海岽;吴凯萍
代理机构	广州润禾知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	林伟斌

摘要

本发明涉及氧气传感器技术领域，提供一种金属氮化物膜的制备方法，用于替代现有的贵金属催化剂，降低成本；本发明提供一种金属氮化物膜的制备方法，包括基材前处理；将基材放置于工作腔体内，抽真空；对工作腔体进行加热，同时旋转基材；向工作腔体内通入氩气和氮气的混合气氛；在基材上先通过直流电源溅射核心靶材，再通过射频电源溅射掺杂靶材形成金属氮化物膜；所述核心靶材与掺杂靶材均选自锆、钛、钒、钽、钼中的一种或多种，且核心靶材与掺杂靶材所选的金属不同；本发明制备的金属氮化物膜，均一性好，适用于工业量产；且本发明制备的金属氮化物膜用于氧气传感器中作为电极材料使用时，具有较好的响应速度、线性度、一致性和稳定性。

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