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实时生成闪存测试向量的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200510111427.X
  • IPC分类号:G01R31/26;G01R31/00;H01L21/66
  • 申请日期:
    2005-12-13
  • 申请人:
    上海华虹NEC电子有限公司
著录项信息
专利名称实时生成闪存测试向量的方法
申请号CN200510111427.X申请日期2005-12-13
法律状态暂无申报国家暂无
公开/公告日2007-06-20公开/公告号CN1982908
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01R31/26IPC分类号G;0;1;R;3;1;/;2;6;;;G;0;1;R;3;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人上海华虹NEC电子有限公司申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人谢晋春;武建宏
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人丁纪铁
摘要
本发明公开了一种实时生成闪存测试向量的方法,预先把对闪存擦除操作、读操作和写操作分别编写成擦写类库函数、读类库函数和写类库函数库函数,在测试中,通过调用这些库函数实时生成测试向量。本发明可明显缩短测试程序开发时间,提高测试程序的可靠性和测试开发效率。

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