顶部金属堆叠封装结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610157424.8
IPC分类号：H01L23/14;H01L23/367;H01L23/552;H01L21/50
申请日期：
2016-03-18
申请人：
东琳精密股份有限公司

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著录项信息

专利名称	顶部金属堆叠封装结构及其制造方法
申请号	CN201610157424.8	申请日期	2016-03-18
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2017-02-15	公开/公告号	CN106409779A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/14 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/12 安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底〔2〕 H01L23/14 按其材料或它的电性能区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;1;4;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;5;5;2;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0查看分类表>
申请人	东琳精密股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市东区埔顶里公道五路2段81号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京元电子股份有限公司	当前权利人	京元电子股份有限公司
发明人	林殿方
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种顶部金属堆叠封装结构及其制造方法，该顶部金属堆叠封装结构包括一金属基底，包含一上表面以及一下表面，且一芯片接收腔室形成于该上表面；一第一芯片，借助一第一结合层以固定于该芯片接收腔室；一基板，具有一上表面；一第二芯片，借助一第二结合层以固定于该基板的该上表面；以及多个连接元件，形成于该基板的该上表面；其中，借助该些连接元件将该金属基底的该上表面与该基板连接。由此，该结构及方法可增进堆叠封装结构的散热效果及金属屏蔽。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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