制造集成电路存储器的方法及制造的集成电路存储器

发明专利无效专利

申请号：
CN99106789.4
IPC分类号：--
申请日期：
1999-05-20
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	制造集成电路存储器的方法及制造的集成电路存储器
申请号	CN99106789.4	申请日期	1999-05-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1999-12-01	公开/公告号	CN1236990
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	金弘基;李德炯;催昌植
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	马莹

摘要

通过在集成电路衬底上制造空间上分开的存储器单元场效应晶体管阵列和外围电路场效应晶体管，制造集成电路存储器器件。存储器单元晶体管包括存储器单元晶体管源和漏区及栅。外围电路晶体管包括外围电路晶体管源和漏区及栅。在存储器单元晶体管源和漏区上形成硅化物阻挡层。在存储器单元晶体管栅、外围电路源和漏区、栅上形成硅化物层。存储器单元晶体管源和漏区上没有硅化物层。可在存储器单元中提供低接触电阻不降低泄漏特性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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