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一种双向瞬态电压抑制器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510915075.7
  • IPC分类号:H01L27/02;H01L29/06;H01L29/74
  • 申请日期:
    2015-12-10
  • 申请人:
    湖南静芯微电子技术有限公司
著录项信息
专利名称一种双向瞬态电压抑制器件
申请号CN201510915075.7申请日期2015-12-10
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-03-02公开/公告号CN105374815A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/02IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;4查看分类表>
申请人湖南静芯微电子技术有限公司申请人地址
湖南省长沙市长沙经济技术开发区漓湘路98号和祥科技园1101106栋218号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湖南静芯微电子技术有限公司当前权利人湖南静芯微电子技术有限公司
发明人汪洋;董鹏;金湘亮;周子杰
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种基于硅平面工艺、NPNPN型高维持电压、高峰值电流、可双向箝位瞬态过压的双向瞬态电压抑制器件,包括P型衬底,P型衬底上设有N型深阱;所述N型深阱内设有第一P阱、第一N阱、第二P阱;第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N阱、第二N+注入区,第二N+注入区横跨第一P阱和第一N阱;第二P阱内从左到右依次设有第三N+注入区、第三N阱、第四N+注入区、第五P+注入区,第三N+注入区横跨第二P阱和第一N阱;所述第一P+注入区与第一N+注入区连接阳极;所述第四N+注入区和第二P+注入区连接到阴极。该器件可用于信号电平为‑5V‑+5V芯片引脚的瞬态过压抑制。

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