命令地址输入缓冲器偏置电流减小

发明专利有效专利

申请号：
CN201880040451.4
IPC分类号：G11C7/10
申请日期：
2018-04-23
申请人：
美光科技公司

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著录项信息

专利名称	命令地址输入缓冲器偏置电流减小
申请号	CN201880040451.4	申请日期	2018-04-23
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-02-14	公开/公告号	CN110800054A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C7/10 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C7/00 数字存储器信息的写入或读出装置（G11C 5/00优先；用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193）〔2，5〕 G11C7/10 输入/输出〔I/O〕数据接口装置，例如，I/O数据控制电路，I/O数据缓冲器（电平转换电路一般入H03K19/0175）〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;7;/;1;0查看分类表>
申请人	美光科技公司	申请人地址	美国爱达荷州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	美光科技公司	当前权利人	美光科技公司
发明人	G·霍韦
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	王龙

摘要

一种存储器装置(10)可包含存储数据的一或多个存储器组(12)和一或多个输入缓冲器(50)。所述输入缓冲器(50)可接收存取所述一或多个存储器组(12)的命令地址信号。所述存储器装置(10)可在第一操作模式或第二操作模式中的一个中操作。所述一或多个输入缓冲器(50)可当所述存储器装置(10)在所述第一操作模式中时在第一偏置电流下操作，或当所述存储器装置(10)在所述第二操作模式中时在第二偏置电流下操作，并且所述第一偏置电流可大于所述第二偏置电流。

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