铝掺杂相变存储薄膜材料Alx(Ge2Sb2Te5)100-x及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710042918.2
IPC分类号：C22C29/00;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/54;G11B7/243;G11C11/56
申请日期：
2007-06-28
申请人：
复旦大学

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专利名称	铝掺杂相变存储薄膜材料Alx(Ge2Sb2Te5)100-x及其制备方法
申请号	CN200710042918.2	申请日期	2007-06-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-01-23	公开/公告号	CN101109056
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C22C29/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C22 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理 C22C 合金（合金的处理入C21D、C22F） C22C29/00 以碳化物、氧化物、硼化物、氮化物或硅化物（例如金属陶瓷）或其他金属化合物（例如氮氧化合物、硫化物）为基的合金〔4〕	IPC分类号	C;2;2;C;2;9;/;0;0;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;5;4;;;G;1;1;B;7;/;2;4;3;;;G;1;1;C;1;1;/;5;6查看分类表>
申请人	复旦大学	申请人地址	上海市邯郸路220号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	复旦大学	当前权利人	复旦大学
发明人	李晶;魏慎金
代理机构	上海正旦专利代理有限公司	代理人	陆飞;盛志范

摘要

本发明属于相变存储材料技术领域，具体为一种铝掺杂相变存储薄膜材料Alx(Ge2Sb2Te5)100-x及其制备方法。通过利用磁控溅射镀膜系统，采用双靶共溅射方式制备得到铝掺杂的Alx(Ge2Sb2Te5)100-x相变存储薄膜。与未经掺杂的Ge2Sb2Te5薄膜相比，该薄膜微结构与物性均发生了变化，研究结果表明，随着Al掺杂量的增加，样品的相变温度也有所上升，并且样品的面心立方(FCC)相更加稳定，有助于改善相变光盘的使用条件及寿命。同时，Al掺杂对Ge2Sb2Te5薄膜的反射对比度增强极为有利，可提高相变光存储读出信号的信噪比。

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