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一种三维石墨烯薄膜电极结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201820545590.X
  • IPC分类号:H01B5/00;H01B5/14;H01B1/04
  • 申请日期:
    2018-04-17
  • 申请人:
    浙江浙能技术研究院有限公司
著录项信息
专利名称一种三维石墨烯薄膜电极结构
申请号CN201820545590.X申请日期2018-04-17
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01B5/00IPC分类号H;0;1;B;5;/;0;0;;;H;0;1;B;5;/;1;4;;;H;0;1;B;1;/;0;4查看分类表>
申请人浙江浙能技术研究院有限公司申请人地址
浙江省杭州市余杭区余杭塘路2159-1号浙能创业大厦 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江浙能技术研究院有限公司当前权利人浙江浙能技术研究院有限公司
发明人周阳辛;臧孝贤;丁莞尔;翁泽平;王超;秦刚华;骆周扬;李卓斌
代理机构浙江翔隆专利事务所(普通合伙)代理人戴晓翔
摘要
本实用新型涉及薄膜电极领域,特别是一种三维石墨烯薄膜电极结构。针对现有薄膜电极和相邻物质的接触面受限于薄膜电极平面面积,造成使用薄膜电极的电子器件性能难以大幅提升的技术缺陷,本实用新型提供一种三维石墨烯薄膜电极结构,包括基板和设于其上的导电薄膜,所述基板和导电薄膜之间设有可改变形状的变形薄膜层,所述变形薄膜层两面分别紧贴基板和导电薄膜,导电薄膜为石墨烯薄膜且可随一面贴合的变形薄膜层变形而改变形状。本实用新型通过变形薄膜层的形状改变使得与其贴合的导电薄膜也发生同样的形状变化,使薄膜电极的接触面积摆脱原有薄膜电极平面面积的限制,大幅提升薄膜电极的接触面积,为使用薄膜电极的电子器件性能提升创造条件。

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