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一种掩膜图案的修正方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110412045.6
IPC分类号：G03F1/36
申请日期：
2011-12-12
申请人：
无锡华润上华科技有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种掩膜图案的修正方法
申请号	CN201110412045.6	申请日期	2011-12-12
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2013-06-19	公开/公告号	CN103163727A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/36 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/36 具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;3;6查看分类表>
申请人	无锡华润上华科技有限公司	申请人地址	江苏省无锡太湖国际科技园菱湖大道180号-6 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡迪思微电子有限公司	当前权利人	无锡迪思微电子有限公司
发明人	万金垠;王谨恒;张雷;陈洁
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	常亮;李辰

摘要

本发明是一种掩膜图案的修正方法，通过将大于光学临近效应临界点的图形筛选出来，对这部分图形跳过修正处理的步骤，使得真正需要修正的区域大大减少。从而在保证掩膜图形不被光学临近效益影响的前提下，提高了OPC的运算速度，并更加有效的配置了OPC资源和缩短了光刻版图的制作周期。

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