纵型半导体器件

发明专利无效专利

申请号：
CN02142588.4
IPC分类号：--
申请日期：
2002-06-28
申请人：
株式会社东芝

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	纵型半导体器件
申请号	CN02142588.4	申请日期	2002-06-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-03-12	公开/公告号	CN1402360
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社东芝	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝	当前权利人	株式会社东芝
发明人	小野昇太郎
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	杜日新

摘要

本发明半导体器件，通过有效降低漂移电阻分量，可大幅度降低导通电阻。半导体器件具备：第一导电型漏极(12)；设置在漏极层上的第一导电型漂移层(8)；设置在漂移层上的第二导电型基极层(10)；设置在基极层上的第一导电型源极区域(16)；和具有贯穿上述基极层到达上述漂移层且形成于沟(T)内壁面上的栅极绝缘膜(2)和栅极(4)的沟、栅极，栅极绝缘膜(2)中邻接漂移层的部分比邻接基极层的部分形成得厚，漂移层(8)在漏极层的附近沿上述沟道的深度方向接近上述漏极层，从而具有上述第一导电型杂质浓度上升的浓度梯度。

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