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麦秆层状碳化硅陶瓷的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410069211.0
  • IPC分类号:C04B35/565;C04B35/622
  • 申请日期:
    2014-02-27
  • 申请人:
    中原工学院
著录项信息
专利名称麦秆层状碳化硅陶瓷的制备方法
申请号CN201410069211.0申请日期2014-02-27
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2014-06-25公开/公告号CN103880427A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/565IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;5;6;5;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人中原工学院申请人地址
河南省郑州市新郑双湖经济技术开发区淮河路1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中原工学院当前权利人中原工学院
发明人张小立
代理机构郑州优盾知识产权代理有限公司代理人张绍琳;张真真
摘要
本发明公开了一种麦秆层状碳化硅陶瓷的制备方法,它的步骤如下:(1)将麦秆进行编织或拼排成为片层,然后将片层麦秆一层层叠起来,在油压机上定型固定,得到叠层麦秆;(2)将叠层麦秆放入酚醛树脂中进行浸渍,制成预制件;(3)将预制件放入真空炉中,在700-1300℃的条件下进行碳化,得到碳化预制件;(4)将真空炉底部铺上Si粉,放入碳化预制件,然后在其碳化预制件顶部撒Si粉,在1450-1800℃的条件下进行渗硅,得到麦秆层状碳化硅陶瓷。本发明通过将麦秆叠层后,通过酚醛树脂进行浸渍,然后通过真空碳化并渗硅的方法获得麦秆层状碳化硅陶瓷。该方法工艺简单、可规模化生产。该麦秆层状陶瓷遗传有麦秆的形貌和结构,拥有较高的强度,可达5-120MPa。

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