有延滞的低功率、TTL电平CMOS输入缓冲器

发明专利无效专利

申请号：
CN90110236.9
IPC分类号：--
申请日期：
1990-12-27
申请人：
德克萨斯仪器公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	有延滞的低功率、TTL电平CMOS输入缓冲器
申请号	CN90110236.9	申请日期	1990-12-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1991-09-25	公开/公告号	CN1054850
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	德克萨斯仪器公司	申请人地址	美国德克萨斯州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	德克萨斯仪器公司	当前权利人	德克萨斯仪器公司
发明人	休·P·麦克亚当斯
代理机构	上海专利事务所	代理人	吴淑芳

摘要

本发明揭示了一种用作为带有延滞的TTL电平CMOS输入缓冲器的电路。第一导电类型的第一晶体管(2)的源极连到一第一参考电压。相反导电类型的第二、第三晶体管(3、4)的源漏路径串联在第一晶体管的漏极和-公共电位之间。第一、二、三晶体管的栅极连至一个输入信号。倒相器(7)将其输入连至第一晶体管的漏极，并有一输出。一第一导电类型的第四晶体管(5)的栅极连至该输出，其漏极连至第二、三晶体管之间串接点，其源极连至一第二参考电压。通过适当地选定晶体管的尺寸，可以调节该电路的低电平转折点及高电平转折点。电路在备用时吸取较少的电能。也可以设计出结合该电路的逻辑门。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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