一种改进的晶硅太阳能电池铜电镀方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310728030.X
IPC分类号：C25D7/12;C25D5/02;C25D3/38;H01L31/0216;H01L31/18
申请日期：
2013-12-25
申请人：
国电新能源技术研究院;国电光伏有限公司

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专利名称	一种改进的晶硅太阳能电池铜电镀方法
申请号	CN201310728030.X	申请日期	2013-12-25
法律状态	暂无	申报国家	暂无
公开/公告日	2014-04-16	公开/公告号	CN103726088A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25D7/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25D 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸（印刷电路的金属沉积法制造入H05K 3/18）；工件的电解法接合；所用的装置（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2，6〕 C25D7/00 以施镀制品为特征的电镀〔2〕 C25D7/12 半导体〔2〕	IPC分类号	C;2;5;D;7;/;1;2;;;C;2;5;D;5;/;0;2;;;C;2;5;D;3;/;3;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	国电新能源技术研究院;国电光伏有限公司	申请人地址	北京昌平区小汤山镇流顺沙路245号（未来科技城）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国电光伏有限公司,国电新能源技术研究院有限公司	当前权利人	国电光伏有限公司,国电新能源技术研究院有限公司
发明人	郭桦;陈锐;李玮;阚东武;段光亮;蔡晓晨
代理机构	北京大成律师事务所	代理人	陈福

摘要

本发明涉及一种改进的晶硅太阳能电池铜电镀方法。传统电池表面氮化硅层中具有较多孔洞，使用电镀工艺制作铜(Cu)电极过程中，Cu极易吸附于氮化硅层的孔洞，导致太阳能电池外观发花；同时易通过孔洞渗入至氮化硅层与硅(Si)基界面中，Cu作为扩散速度非常快的深能级杂质，进入pn结会影响电池的寿命和发电效率，降低电池可靠性。本发明于Cu电镀前在氮化硅层表面覆盖一层保护膜，防止电镀过程中Cu的吸附及渗入，保证了电池可靠性，同时避免了电池外观出现发花现象。保护膜在Cu电极电镀完成之后即可去除；根据晶硅电池工艺要求，如不影响电池光学、电学、可靠性等参数，保护膜也可保留。

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