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阵列基板及其制造方法和显示装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201310002104.1
IPC分类号：H01L21/77;G02F1/136;G03F7/00
申请日期：
2013-01-04
申请人：
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	阵列基板及其制造方法和显示装置
申请号	CN201310002104.1	申请日期	2013-01-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-05-15	公开/公告号	CN103107133A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/77 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/77 在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;;;G;0;3;F;7;/;0;0查看分类表>
申请人	京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京东方科技集团股份有限公司,北京京东方显示技术有限公司	当前权利人	京东方科技集团股份有限公司,北京京东方显示技术有限公司
发明人	陈华斌;王琳琳;高英强;袁剑峰
代理机构	北京同达信恒知识产权代理有限公司	代理人	黄志华

摘要

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和显示装置，涉及通过4次Mask制作阵列基板的工艺方法。阵列基板制造方法，包括公共电极层、栅金属层、半导体层层、源漏电极层、钝化层及像素电极层的制作过程；其中，所述钝化层和所述像素电极层通过一次构图工艺制作。本发明提供的阵列基板制造方法，省略了一次掩膜版的使用，降低了生产成本。本发明适用于ADS模式阵列基板的制造。

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