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多栅极场效应晶体管的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110301132.4
  • IPC分类号:H01L21/336
  • 申请日期:
    2011-09-28
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称多栅极场效应晶体管的制造方法
申请号CN201110301132.4申请日期2011-09-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-04-03公开/公告号CN103021857A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区上海市张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人王新鹏
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人屈蘅;李时云
摘要
本发明揭示了一种多栅极场效应晶体管的制造方法,通过在所述栅极两侧形成自对准间隔侧墙,在进行离子注入形成源极区和漏极区的过程中,能够掩蔽该栅极两侧的鳍状结构不被掺杂注入,增加了位于栅极下方鳍状结构中沟道的长度,以实现抑制短沟道效应、降低漏电流,并达到降低多栅极场效应晶体管的功耗、提高多栅极场效应晶体管的器件性能的目的。通过在多栅极场效应晶体管上形成阻挡层,并利用干法刻蚀所述阻挡层,在所述图案化的硬掩膜层两侧形成斜坡状的自对准阻挡掩膜;利用自对准阻挡掩膜刻蚀形成自对准间隔侧墙从而利用自对准技术,在形成过程中不需要利用光刻和刻蚀工艺定义,即形成自对准间隔侧墙,从而降低了工艺成本,提高了工艺效率。

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