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存储器及其衬垫结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201922132411.7
IPC分类号：H01L23/498;H01L21/48
申请日期：
2019-11-29
申请人：
长鑫存储技术有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	存储器及其衬垫结构
申请号	CN201922132411.7	申请日期	2019-11-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/498 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕 H01L23/498 引线位于绝缘衬底上的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8查看分类表>
申请人	长鑫存储技术有限公司	申请人地址	安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长鑫存储技术有限公司	当前权利人	长鑫存储技术有限公司
发明人	刘志拯
代理机构	北京律智知识产权代理有限公司	代理人	王辉;阚梓瑄

摘要

本公开提供一种存储器及存储器的衬垫结构。该存储器的衬垫结构包括绝缘支撑层、导电层以及金属层。该绝缘支撑层包括第一区域以及围绕第一区域的环形沟槽。该第一区域内包括多个第一沟槽和多个第二沟槽。多个第一沟槽均与环形沟槽相通。任一第二沟槽与环形沟槽以及任一第一沟槽均不相通。该导电层填充于环形沟槽和各第一沟槽内。该金属层填充于各第二沟槽内。本公开能够提高存储器的寿命。

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